Donazioni 15 September, 2024 – 1 Ottobre, 2024
Sulla raccolta fondi
ricerca dei libri
libri
Donazioni:
68.7% compiuto
Entrare
Entrare
gli utenti autorizzati hanno accesso a:
raccomandazioni personali
Telegram bot
cronologia dei download
inviare a email o Kindle
gestione delle raccolte
salvare nei preferiti
Personale
Richieste di libro
Studia
Z-Recommend
Elenco libri
Più popolari
Categorie
Partecipazione
Donare
Caricamenti
Litera Library
Dona i libri cartacei
Aggiungi i libri cartacei
Search paper books
Mio LITERA Point
Ricerca termini
Main
Ricerca termini
search
1
Novum Testamentum Graece
Nestle-Aland
txt
tov
yap
adtod
thv
adtov
latt
syp
f13
ambst
odk
toic
avtov
gaag
eotiv
cov
5é
adtoic
sys
gig
bopt
mpdc
tig
tac
kal
inood
epiph
thc
inoots
cic
ovk
tiv
éni
peta
todto
budv
beod
tert
éotiv
cyp
adth
odv
adtd
taic
tav
eig
samss
oeod
tovs
tadta
Anno:
1979
Lingua:
german
File:
PDF, 56.57 MB
I tuoi tag:
0
/
4.0
german, 1979
2
MOSFET Models for SPICE Simulation: Including BSIM3v3 and BSIM4
Wiley-IEEE Press
William Liu
bsim3
drain
current
device
gate
voltage
noise
eff
bulk
parameters
parameter
capacitance
circuit
zero
transistor
resistance
negative
spice
bsim4
calculated
calculation
vds
junction
bias
values
effects
models
simulation
tnom
width
figure
equal
shown
capacitances
equations
equation
function
modeling
threshold
vgs
saturation
nqs
tdevice
temperature
vbs
effective
devices
signal
frequency
substrate
Anno:
2001
Lingua:
english
File:
DJVU, 8.67 MB
I tuoi tag:
0
/
0
english, 2001
3
Наноэлектронные устройства и их модели
Балашов А.Г.
,
Крупкина Т.Ю.
,
Лосев В.В.
,
Старосельский В.И.
рис
vds
канала
vgst
опз
вах
напряжения
транзистора
носителей
мдпт
длины
области
напряжение
ток
lef
параметров
транзисторов
модели
параметры
vgs
проектирования
характеристик
исток
канале
мдп
характеристики
областей
пороговое
spice
заряда
напряжений
размеров
стока
влияние
эффекты
примеси
процесса
тока
технологических
vbs
моделирования
подвижность
qsn
vsb
усиления
tnom
гало
поля
технологического
топологии
Lingua:
russian
File:
PDF, 2.21 MB
I tuoi tag:
0
/
0
russian
4
LNA-ESD co-design for fully integrated CMOS wireless receivers
Springer
Paul Leroux
,
Michiel Steyaert
noise
lna
esd
input
resistance
current
cmos
voltage
capacitance
output
gate
frequency
inductor
figure
ghz
vss
signal
figure
iip3
transistor
matching
impedance
receiver
vgs
circuit
amplifier
diode
dbm
equivalent
circuits
shown
ω0
amplifiers
linearity
parasitic
integrated
drain
diodes
vsss
match
gps
network
vdd
ωt
device
substrate
wireless
contribution
hbm
frequencies
Anno:
2005
Lingua:
english
File:
PDF, 19.39 MB
I tuoi tag:
0
/
0
english, 2005
1
Segui
questo link
o cerca il bot "@BotFather" in Telegram
2
Invia il comando /newbot
3
Inserisci un nome del tuo bot
4
Inserisci un nome utente del bot
5
Copia l'ultimo messaggio da BotFather e incollalo qui
×
×